IAUC120N06S5L011ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N06S5L011ATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N06S5L011ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر