IAUC120N06S5L011ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından Infineon ve ISC080N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5L011ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin