IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L013ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Power Dissipation (TC) | — | 219 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |