IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L013ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रिय
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IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
पैकेज PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
पिन काउंट 8 —
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

डेटाशीट और संसाधन

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