IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S5L280DATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7L013ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
تعداد پایه 8 —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت