IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L013ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
پیکیج PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
پن کی تعداد 8 —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں