IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLR70R200D2SXUMA1 بواسطة Infineon و IGL65R080D2XUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN G5 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 81 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +150 °C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| العلبة | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount, wettable flank |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |