IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IGLR70R200D2SXUMA1 מאת Infineon ו IGL65R080D2XUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IGLR70R200D2SXUMA1 IGL65R080D2XUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 18 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 81 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
מארז PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8)
RoHS Compliant —
סוג טרנזיסטור — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode)
On-Resistance RDS(on) — 80 mΩ (typical)
סוג הרכבה — Surface Mount, wettable flank
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Applications — SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר