IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGL65R080D2XUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLR70R200D2SXUMA1 IGL65R080D2XUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 18 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 81 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
پیکیج PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8)
RoHS Compliant —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode)
On-Resistance RDS(on) — 80 mΩ (typical)
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount, wettable flank
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Applications — SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں