IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IGLR70R200D2SXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IGL65R080D2XUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IGLR70R200D2SXUMA1 IGL65R080D2XUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 18 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 81 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
প্যাকেজ PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8)
RoHS Compliant —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode)
On-Resistance RDS(on) — 80 mΩ (typical)
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount, wettable flank
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Applications — SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট