IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IGLR70R200D2SXUMA1 bằng Infineon và IGL65R080D2XUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 - 650V 80mΩ CoolGaN G5 Transistor | Infineon

IGL65R080D2XUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IGLR70R200D2SXUMA1 IGL65R080D2XUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 18 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 81 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
Hộp PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8)
RoHS Compliant —
Kiểu transitor — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode)
On-Resistance RDS(on) — 80 mΩ (typical)
Kiểu lắp đặt — Surface Mount, wettable flank
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Applications — SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters
Trạng thái RoHS — Compliant
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá