IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGL65R080D2XUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IGLR70R200D2SXUMA1 IGL65R080D2XUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN G5
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN-on-Si, 200 mm wafer
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 18 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 81 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
Paket PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8)
RoHS Compliant —
Transistor Türü — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode)
On-Resistance RDS(on) — 80 mΩ (typical)
Montaj Türü — Surface Mount, wettable flank
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Applications — SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin