IGLT65R035D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLT65R035D2ATMA1 بواسطة Infineon و IGLR70R200D2SXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IGLT65R035D2ATMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 TOLT | CoolGaN G5 |
| نوع الترانزستور | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 47 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 154 W | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | 540 pF | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -40 °C to +150 °C |
| العلبة | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Cooling Configuration | Top-side cooled (TOLT) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Production Wafer Size | 200 mm (8 inch) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Technology | — | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |