IGLT65R035D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLT65R035D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolGaN G5
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] -40 °C to +150 °C
پیکیج PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Channel Type — N-Channel
Technology — GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں