IPB019N08N3GATMA1 vs AUIRF7640S2TR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB019N08N3GATMA1 بواسطة Infineon و AUIRF7640S2TR بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB019N08N3GATMA1 | AUIRF7640S2TR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] |
| العلبة | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | DirectFET SB (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | — | 5.8 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | — | 2.4 W |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 30 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 36 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 7.3 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) |
| Primary Application | — | Automotive Class D audio amplifier output stage |