IPB019N08N3GATMA1 vs AUIRF7640S2TR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB019N08N3GATMA1 द्वारा Infineon और AUIRF7640S2TR द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
IPB019N08N3GATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB019N08N3GATMA1 | AUIRF7640S2TR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] |
| पैकेज | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | DirectFET SB (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | — | 5.8 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | — | 2.4 W |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 30 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 36 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 7.3 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) |
| Primary Application | — | Automotive Class D audio amplifier output stage |