IPB072N15N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB072N15N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB200N25N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB072N15N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V 250 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +175C
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
عدد الأطراف — 3 (2+tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر