IPB072N15N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB072N15N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB200N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB072N15N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V 250 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Klorürsüz — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Sayısı — 3 (2+tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin