IPB072N15N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB072N15N3GATMA1 bằng Infineon và IPB200N25N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPB072N15N3GATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon
IPB200N25N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB072N15N3GATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench MOSFET) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 150 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) | [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 300 W | — |
| R_DS(on) typical at VGS=10V | 7.2 mOhm | — |
| R_DS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Hộp | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse E_AS) | — |
| Intrinsic Body Diode | Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) | — |
| Manufacturer Ordering Code Suffix | GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Đông trùng haogen | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Số chân | — | 3 (2+tab) |