IPB072N15N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB072N15N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB200N25N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

IPB200N25N3GATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPB072N15N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V 250 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C -55C to +175C
पैकेज PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
हैलोजन फ्री — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
पिन काउंट — 3 (2+tab)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध