IPB072N15N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB072N15N3GATMA1 توسط Infineon و IPB200N25N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

IPB200N25N3GATMA1 - 250V 64A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

IPB200N25N3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB072N15N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V 250 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55C to +175C
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
بدون هالوژن — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
تعداد پایه — 3 (2+tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت