IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon و IPB110P06LMATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPB100N04S4H2ATMA1 IPB110P06LMATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode P-Channel
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A -100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (TJ)
العلبة / الحالة — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر