IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon و IPB120N04S402ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB100N04S4H2ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant (Green Product) Green Product (RoHS compliant)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
عدد الأطراف — 3 (2 + Tab)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر