IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB100N04S4H2ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB120N04S402ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IPB120N04S402ATMA1 - 40V 120A OptiMOS-T2 N-FET D2PAK | Infineon
IPB120N04S402ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB100N04S4H2ATMA1 | IPB120N04S402ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | OptiMOS-T2 (trench gate) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 2.4 mΩ typical | — |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | 115 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +175C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | MSL1 (up to 260C peak reflow) | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 100% avalanche tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | Green Product (RoHS compliant) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 158 W |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +175 °C |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |