IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N12S305ATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB100N12S305ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | CoolMOS P7 (600 V) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| العلبة / الحالة | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| العلبة | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |