IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB100N12S305ATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB100N12S305ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | CoolMOS P7 (600 V) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Paket | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |