IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB100N12S305ATMA1 द्वारा Infineon और IPB60R280P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB100N12S305ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | CoolMOS P7 (600 V) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| पैकेज | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| पिन काउंट | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |