IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB100N12S305ATMA1 bằng Infineon và IPB60R280P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB100N12S305ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | CoolMOS P7 (600 V) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Hộp / Vỏ | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Hộp | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Số chân | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |