IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB180P04P4L02ATMA2 بواسطة Infineon و IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB180P04P4L02ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
نوع الترانزستور P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) —
العلبة PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 7 (6 + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Tab Connection Drain —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر