IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB180P04P4L02ATMA2 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB180P04P4L02ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
Transistor Türü P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Paket PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 7 (6 + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Tab Connection Drain —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin