IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB180P04P4L02ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB180P04P4L02ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 7 (6 + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Tab Connection Drain —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں