IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB100N12S305ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB60R280P7ATMA1 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | OptiMOS Power MOSFET |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (2 + Tab) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.8 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) |
| عدد الدبابيس | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |