IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R280P7ATMA1 מאת Infineon ו IPB100N12S305ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB60R280P7ATMA1 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | OptiMOS Power MOSFET |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| מארז | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.8 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| מארז / Case | — | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| רמת רגישות ללחות (MSL) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |