IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N12S305ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB60R280P7ATMA1 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | OptiMOS Power MOSFET |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.8 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) |
| پنز کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |