IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB60R280P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB100N12S305ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB60R280P7ATMA1 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | OptiMOS Power MOSFET |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (2 + Tab) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.8 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |