IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC100N04S5L1R1ATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% tested
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
حالة RoHS — Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر