IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC100N04S5L1R1ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S51R7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% tested
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں