IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC70N04S5L4R2ATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S55R8ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC50N04S55R8ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 50 A |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 42 W |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | — | 5.8 mΩ |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 305 pF |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS compliant, Green Product |
| Polarity | — | Enhancement Mode |