IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPC70N04S5L4R2ATMA1 द्वारा Infineon और IPC50N04S55R8ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC50N04S55R8ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | — |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 50 A |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 42 W |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | — | 5.8 mΩ |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 305 pF |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS compliant, Green Product |
| Polarity | — | Enhancement Mode |