IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından Infineon ve IPC50N04S55R8ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC50N04S55R8ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | — |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 50 A |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 42 W |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | — | 5.8 mΩ |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 305 pF |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / Green | — | RoHS compliant, Green Product |
| Polarity | — | Enhancement Mode |