IPD028N06NF2SATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD028N06NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD028N06NF2SATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain-tab, Source) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر