IPD028N06NF2SATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD028N06NF2SATMA1 توسط Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD028N06NF2SATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain-tab, Source) —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت