IPD028N06NF2SATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD028N06NF2SATMA1 מאת Infineon ו IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD028N06NF2SATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain-tab, Source) —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר