IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD046N08N5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N06S5L073ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD046N08N5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| حالة RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | Single N-Channel |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |