IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD046N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N06S5L073ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD046N08N5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| RoHS اسٹیٹس | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | Single N-Channel |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |