IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N06S5L073ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD046N08N5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | Single N-Channel |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |