IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD046N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N06S5L073ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD046N08N5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| RoHS Durumu | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | Single N-Channel |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Paket | — | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |