IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD068N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD90N06S404ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD068N10N3GATMA1 IPD90N06S404ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
مستوى MSL 1 MSL1
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Polarity — Single N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر