IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD068N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPD90N06S404ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD068N10N3GATMA1 | IPD90N06S404ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| רמת MSL | 1 | MSL1 |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V |
| Operating Temperature (TJ max) | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C (MSL1) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Polarity | — | Single N-Channel |