IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD068N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD90N06S404ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD068N10N3GATMA1 IPD90N06S404ATMA2
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Green Product)
MSL লেভেল 1 MSL1
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Polarity — Single N-Channel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট